CHINA

Di tengah perlombaan global dalam kecerdasan buatan (AI), ilmuwan China telah mengungkap sebuah terobosan dalam kecepatan memori yang sebelumnya dipandang mustahil: 400 pikodetik. Lebih menakjubkan lagi, pencapaian ini direalisasikan dalam memori yang ukurannya hanya sebesar butiran beras.

Para peneliti di Universitas Fudan baru-baru ini memperkenalkan Poxiao atau Dawn, yang merupakan memori flash tercepat yang pernah ada. Memori ini mampu menghapus dan menulis ulang informasi dalam waktu 400 pikodetik, di mana satu pikodetik sama dengan satu per triliun detik.

Meskipun purwarupanya hanya mampu menyimpan data dalam ukuran kilobyte, desain inovatif ini memecahkan batasan kecepatan penyimpanan modern hingga 100.000 kali lipat, menjanjikan masa depan di mana AI dapat mengolah data secepat mereka berpikir.

Dipublikasikan dalam jurnal Nature, kemajuan dalam fisika elektron ini berpotensi mengaburkan perbedaan antara memori dan komputasi.

Mengatasi batasan kecepatan penyimpanan informasi adalah salah satu tantangan paling mendasar dalam bidang sirkuit terpadu, dan juga merupakan hambatan teknis utama yang membatasi kapasitas daya komputasi AI.

Arsitektur penyimpanan saat ini memiliki keterbatasan. Memori volatil seperti SRAM dan DRAM menawarkan kecepatan tinggi, tetapi dengan kapasitas rendah, konsumsi daya tinggi, biaya produksi tinggi, dan kehilangan data saat daya terputus. Di sisi lain, memori non-volatil seperti penyimpanan flash memiliki kapasitas lebih besar, konsumsi daya lebih rendah, dan mempertahankan data, namun tertinggal dalam hal kecepatan.

Tim peneliti berupaya mempercepat memori flash dengan cara memanfaatkan kelebihannya sambil mengatasi kekurangan kecepatannya.

Para peneliti memperkenalkan metode baru untuk mempercepat memori flash, memungkinkan elektron beralih langsung dari keadaan lambat ke kecepatan tinggi tanpa perlu tahap “pemanasan”.

Dalam pengujian, kecepatan hapus-tulis mencapai 400 pikodetik, melampaui memori volatil tercepat saat ini, SRAM, pada node teknologi yang sama. Jika dibandingkan dengan ratusan mikrodetik memori flash konvensional, kecepatan ini meningkat lebih dari 100.000 kali lipat.